FIB离子束切片测试 电子元器件检测

优尔鸿信检测实验室具备非破坏性、破坏性及半破坏性全类型检测能力，涵盖 3D X-Ray、C-SAM、场发射扫描电镜、FIB、离子束切割、工业CT 等核心设备，可精准检测焊点质量、PCB 缺陷、封装内部问题等，兼顾外观与深层分析，为电子元件可靠性提供全面技术支撑。

聚焦离子束（Focused Ion Beam，简称FIB）是一种的材料加工和分析技术，广泛应用于材料科学、半导体制造、生物学等多个领域。FIB设备通过将高能离子束聚焦到样品表面，进行微纳加工和分析。其结合了聚焦离子束（FIB）和扫描电子显微镜（SEM）的功能，形成了FIB-SEM技术，实现对材料微观结构的高分辨成像、局部取样和三维重建。

FIB离子束的用途

FIB设备中的离子源产生高能离子束，常见的离子源是液态金属离子源（LMIS），尤其是使用Ga⁺离子的显微镜应用。通过电场和磁场的控制，离子束被聚焦并精确扫描到样品表面。

样品加工：

高能离子束与样品表面相互作用，通过溅射效应去除样品表面的原子，实现纳米级加工。

离子束还可以用于诱导沉积，在样品表面沉积特定材料。

成像和分析：

同时，FIB设备通常配备扫描电子显微镜（SEM），用于对样品进行高分辨率成像。

通过捕获二次电子等信号，SEM可以获取样品表面的形貌信息。

FIB在失效分析中的应用

芯片截面分析：

FIB可以以纳米级的精度对芯片进行截面切割，发现芯片内部的结构缺陷。

结合SEM成像，可以清晰观察芯片内部的层次结构和材料分布。

电路修改和修复：

FIB技术可用于电路的精确修改，如切断故障电路、沉积新材料修复电路等。

这在PCB板的失效分析和修复中具有重要意义，特别是对于复杂的多层PCB板。

TEM样品制备：

TEM（透射电子显微镜）需要非常薄的样品，通常约为100纳米或更薄。

FIB设备可以精确选择样品上的特定区域，进行纳米级切割，制备满足TEM要求的样品。

三维重构：

利用FIB-SEM技术，可以对样品进行连续切片和成像，构建样品的三维模型。

这有助于更深入地了解样品的内部结构和性能。