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【网络研讨会】半导体产品失效分析及案例分享

发布时间: 2026-09-21  点击次数: 48次

【网络研讨会】半导体产品失效分析及案例分享

 

在电子设备高度集成的当下,半导体产品失效问题成为制约硬件可靠性的关键痛点。面对元器件烧坏、功能异常、参数漂移等失效现象,如何精准定位根因、追溯工艺缺陷,是电子制造、检测机构、代工厂的共性需求。常规失效定位无标准、封装/晶圆段分析逻辑不清、案例参考缺失,已成为行业技术提升的短板。对标专业分析体系,系统梳理失效定位手法、封装与晶圆段检测技术,结合实战案例复盘,是保障半导体产品品质的核心抓手。

什么是半导体产品失效分析的核心逻辑

半导体失效分析需遵循“由表及里、分层拆解”的逻辑,先通过常规方法锁定失效范围,再结合封装、晶圆段专业手段定位根因。

常规锁定失效范围的四大方法:

目检:仔细观察板上的电子元器件是否有烧坏,炸裂及发黄发黑等现象,同时检索电路板的其它信息。

测量:需要重点关注的是电源引脚,以及是否有不稳定现象,如使用手压或温枪加热是否可以恢复正常。

交叉验证先通过测试软件或仪器初步确定大致失效元器件,找一颗同规格的元器件进行更换,评估PCBA板是否恢复功能,如果PCB恢复正常,需要将拆下来的元器件重新装到另外一块功能正常的板子上

热点成像包含锁相热成像LIT)和红外热成像,锁相热成像针对PCBA微小异常发热点的高精度检测技术,能精准捕捉常规热成像难以识别的mW级微弱发热,快速锁定单颗故障元器件红外热成像通过红外热成像仪扫描PCBA温度异常过高器件。

干货前瞻,直击一线生产痛点

本次分享围绕半导体失效分析全流程展开,内容紧贴实操:

封装段失效分析手法:从外观检查切入、借助X-RAY/CT排查虚焊/短路/晶圆偏位等问题,到超声波扫描C-scan等)识别空洞杂质、分层缝隙,再到切片研磨与开封检查,层层深入锁定物理缺陷。

晶圆段失效分析手法:运用LIT/OBIRCH/EMMI定位异常热点,通过Delayer逐层剥离检视电路布线,结合FIB-SEM实现更高精度的操作和观察。

网络相约、共探技术

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